>

碳化硅晶体生长技术研发取得进展 摆脱碳化硅半

- 编辑:澳门金沙国际网站 -

碳化硅晶体生长技术研发取得进展 摆脱碳化硅半

澳门金沙国际网站 1

5月19日,中科钢研在北京举办碳化硅成果发布会。记者在发布会上获悉,我国高品质、大规格碳化硅晶体生长技术的研发取得了突破性进展,伴随其产业化项目正式启动,我国有望摆脱碳化硅半导体衬底片依赖进口的尴尬局面。

优化营商环境,聚焦动能转换

作为第三代半导体材料,碳化硅凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能,成为当今最受关注的新型半导体材料之一。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端或恶劣环境下,特别适用于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域。

澳门金沙国际网站,青岛广电新闻中心全媒体系列访谈《全市重点大项目巡礼》

“到2022年,碳化硅元件有望在半导体功率器件领域逐步实现对硅的全面替代,碳化硅半导体时代即将开启。”中科钢研节能科技有限公司总经理张岩在接受《经济日报》记者采访时表示,未来5年,碳化硅功率半导体市场规模年均复合增长率将达到38%,市场前景广阔。

聚焦中科钢研碳化硅项目

“碳化硅衬底片是典型的技术密集型和资金密集型产业,高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。”中国兵器工业集团首席科学家魏化震表示,目前国际上先进的碳化硅长晶工艺及装备掌握在美德日等少数发达国家手中,全球仅极少数企业能够商业化量产。

置信青岛智造谷

目前,以美国科锐公司为代表的碳化硅半导体领军企业已实现了4英寸碳化硅产品成熟使用并正在向6英寸进军,国内4英寸碳化硅单晶片品质和成本尚与国际先进水平存在较大差距,已成为中国第三代半导体材料应用发展的瓶颈。

在现实世界中,没有人可以和“半导体”撇清关系。

中科钢研与上海大革智能科技有限公司等单位联合研发的升华法4英寸导电性碳化硅晶体长晶生产过程稳定,装备自动化程度高,通过对核心工艺技术及装备的研发升级,在晶体良品率和节能降耗等关键指标上取得了突破性进展,高品质、大规格碳化硅晶体生产即将进入产业化。

每天用的电脑,手机以及电视等等,都会用到半导体元件。

“从市场调研,到专家团队组建、联合实验室建立,再到高品质、大规格碳化硅产业化项目签约落地,中科钢研仅用了不到1年的时间。”张岩表示,未来3年,中科钢研将突破6英寸“高品质、低成本”导电型碳化硅晶体升华法长晶工艺及装备制造,并达到产业化水平,同时将在全国完成30亿元投资布局,打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地。

半导体产业中一个很关键的组成部分,那就是半导体材料。

其发展经过了三个主要阶段:

以硅为代表的第一代半导体材料

以砷化镓为代表的第二代半导体材料

以碳化硅为代表的第三段半导体材料

第三代半导体材料—宽禁带半导体材料

近年来,新发展起来的第三代半导体材料,具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点,这就从理论上保证了其较宽的适用范围。

澳门金沙国际网站 2

军用方向

解决雷达探测距离

雷达的探测距离有多长,是取决于发射功率的强度,碳化硅片可以抗大电流击穿。

目前美国、日本等国家使用碳化硅片后可以使雷达探测距离达到2500公里。

民用方向

新能源汽车

比亚迪布局第三代半导体材料碳化硅,目前已大规模用于车载电源,预计2023年采用碳化硅基半导体全面替代硅基半导体,将整车性能在现有基础上再提升10%。

张岩(中科钢研节能科技有限公司董事长):

公司参与的碳化硅项目已经落户莱西经济开发区,今年投产。

年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片,5千片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

采用碳化硅材料制成的电力电子器件可工作于极端环境和恶劣环境下。

本文由科技中心发布,转载请注明来源:碳化硅晶体生长技术研发取得进展 摆脱碳化硅半